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IMW120R220M1H
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IMW120R220M1H

型號(hào)IMW120R220M1HXKSA1
制造商Infineon Technologies
MfrInfineon Technologies
系列CoolSiC?
包裝Tube
零件狀態(tài)Active
FET 類型N-Channel
技術(shù)SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2kV
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
Drive Voltage (最大 Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Rds On (最大) @ Id, Vgs286mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (最大) @ Id5.7V @ 1.6mA
Gate Charge (Qg) (最大) @ Vgs8.5nC @ 18V
Vgs (最大)+23V, -7V
輸入 點(diǎn)容 (Ciss) (最大) @ Vds289pF @ 800V
FET Feature-
功率 Dissipation (最大)75W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應(yīng)商器件封裝PG-TO247-3-41
封裝/外殼TO-247-3


￥0.00
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重量：0.00KG
商品描述
型號(hào)IMW120R220M1HXKSA1
制造商Infineon Technologies
MfrInfineon Technologies
系列CoolSiC?
包裝Tube
零件狀態(tài)Active
FET 類型N-Channel
技術(shù)SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2kV
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
Drive Voltage (最大 Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Rds On (最大) @ Id, Vgs286mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (最大) @ Id5.7V @ 1.6mA
Gate Charge (Qg) (最大) @ Vgs8.5nC @ 18V
Vgs (最大)+23V, -7V
輸入 點(diǎn)容 (Ciss) (最大) @ Vds289pF @ 800V
FET Feature-
功率 Dissipation (最大)75W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應(yīng)商器件封裝PG-TO247-3-41
封裝/外殼TO-247-3


               

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